Mundësuar nga V-NAND i gjeneratës së 5-të të Samsung, ruajtja e re Universale Flash ofron 20 herë më shumë hapësirë ruajtëse se 64 GB hapësirë ruajtëse të brendshme dhe 10 herë shpejtësi më të madhe se një kartë standarde microSD për aplikacione me të dhëna intensive.
Η Samsung Electronics Co., Ltd., një lider botëror në teknologjinë e avancuar të memories, njoftoi sot prodhimin masiv të Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 të parë të industrisë me madhësi terabyte, të integruar për përdorim në aplikacionet celulare të gjeneratës së ardhshme. Vetëm katër vjet pas shpalljes së zgjidhjes së parë UFS, 128 GB eUFS, Samsung tejkaloi kufirin e shumëpritur prej një terabajti në hapësirën ruajtëse të smartfonëve. Të apasionuarit pas telefonave inteligjentë së shpejti do të jenë në gjendje të shijojnë kapacitetin e ruajtjes së krahasueshme me atë të një laptopi premium, pa pasur nevojë të shtojnë karta memorie shtesë në telefonat e tyre celular.
“1TB eUFS pritet të luajë një rol të rëndësishëm në krijimin e një përvoje të përmirësuar të përdoruesit në pajisjet celulare të gjeneratës së ardhshme, të ngjashme me atë të laptopëve”, tha Cheol Choi, Zëvendës President Ekzekutiv i Shitjeve dhe Marketingut të Memories në Samsung Electronics. "Samsung është gjithashtu i përkushtuar për të siguruar zinxhirin më të besueshëm të furnizimit dhe vëllime të mjaftueshme prodhimi për të mbështetur lëshimin e telefonave inteligjentë kryesorë të ardhshëm, me synimin për të përshpejtuar rritjen në tregun global të telefonave celularë."
Duke ruajtur të njëjtën madhësi paketimi (11.5 mm x 13.0 mm), zgjidhja 1TB eUFS dyfishon kapacitetin e versionit të mëparshëm 512 GB, duke kombinuar 16 shtresa të memories flash më të avancuar 512 GB V-NAND dhe një kontrollues memorie të krijuar rishtazi. Përdoruesit e telefonave inteligjentë do të jenë në gjendje të ruajnë 260 video dhjetë minuta në rezolucion 4K UHD (3840X2160), ndërsa standardi eUFS 64 GB, i shfaqur nga shumica e smartfonëve modernë, mund të ruajë 13 video të së njëjtës madhësi.
1TB eUFS është jashtëzakonisht i shpejtë, duke i lejuar përdoruesit të transferojnë përmbajtje të madhe multimediale në shumë më pak kohë. Me shpejtësi deri në 1.000 megabajt për sekondë (MB/s), eUFS-i i ri ka rreth dyfishin e shpejtësisë sekuenciale të leximit të një SATA SSD standard 2.5 inç. Kjo do të thotë që videot me HD të plotë 5 GB mund të shkarkohen në një NVMe SSD në vetëm pesë sekonda, që është 10 herë më shpejt se një kartë standarde microSD. Përveç kësaj, shpejtësia e leximit të rastësishëm është rritur me 38% në krahasim me versionin 512 GB, duke arritur në 58.000 IOPS. Regjistrimet e rastësishme janë 500 herë më të shpejta se një kartë microSD me performancë të lartë (100 IOPS), duke arritur në 50.000 IOPS. Shpejtësitë e rastësishme lejojnë shkrepjen e vazhdueshme me shpejtësi të lartë me 960 korniza për sekondë dhe u japin përdoruesve të smartfonëve mundësinë për të shfrytëzuar maksimalisht aftësitë e shumë kamerave të pajisjeve moderne dhe flamurëve të gjeneratës së ardhshme.
Për gjysmën e parë të 2019-ës, Samsung planifikon të zgjerojë prodhimin e gjeneratës së ardhshme V-NAND 512GB në fabrikën e saj në Kore për të menaxhuar kërkesën e lartë për eUFS-in e shumëpritur 1TB nga prodhuesit e pajisjeve celulare në mbarë botën.
[id_grupi_ad_g = "966]
